由于較低的表面張力，油滴很容易在固體(ti)(ti)表(biao)面(mian)鋪展(zhan)潤濕，從而(er)降低(di)(di)整(zheng)個體(ti)(ti)系的(de)(de)(de)界面(mian)自(zi)由(you)能(neng)，因(yin)此，實現(xian)(xian)低(di)(di)表(biao)面(mian)扎張力(li)的(de)(de)(de)超(chao)排(pai)斥相(xiang)對來說比較困難。為了實現(xian)(xian)低(di)(di)表(biao)面(mian)張力(li)油的(de)(de)(de)超(chao)排(pai)斥，目前有(you)相(xiang)關研究人員提出了雙(shuang)內凹結構(gou)，通過(guo)雙(shuang)內凹結構(gou)能(neng)夠(gou)有(you)效(xiao)鎖定(ding)固-液-氣(qi)三(san)相(xiang)接觸線，阻止液體(ti)(ti)沿著表(biao)面(mian)微結構(gou)向(xiang)下滑移，從而(er)將液體(ti)(ti)支撐在微結構(gou)空氣(qi)層上(shang)面(mian)而(er)實現(xian)(xian)對不同(tong)液體(ti)(ti)的(de)(de)(de)有(you)效(xiao)排(pai)斥。

但是，現有技術(shu)中制(zhi)備得到的(de)雙內凹結構尺寸(cun)均在幾十微米以上，雖(sui)然能夠實現低表面張力液體的(de)超排斥(chi)(chi)，但這種排斥(chi)(chi)性極不穩定，如空(kong)氣流動或者液滴自身(shen)運動都會(hui)導致液體塌陷并濕潤固體表面。

一(yi)種制(zhi)備更小尺寸(cun)雙內凹結構(gou)的方法，提(ti)高對低表(biao)面張力液(ye)體的超排斥能力，提(ti)升穩定性。

為(wei)解(jie)決(jue)上(shang)述問題，本發明提供一種(zhong)微(wei)米雙內凹結(jie)構表面(mian)的制造方法，包括以下(xia)步驟：

步驟(zou)S1、在半(ban)導(dao)體(ti)材料(liao)的(de)表面設(she)置光刻(ke)(ke)膠層(ceng)(ceng)；其中，所述(shu)半(ban)導(dao)體(ti)材料(liao)包括上下設(she)置的(de)硅(gui)層(ceng)(ceng)和(he)二(er)氧化硅(gui)層(ceng)(ceng)，所述(shu)光刻(ke)(ke)膠層(ceng)(ceng)設(she)置在所述(shu)二(er)氧化硅(gui)層(ceng)(ceng)遠離所述(shu)硅(gui)層(ceng)(ceng)一側的(de)表面上；

步驟S2、對(dui)所述光(guang)刻膠層(ceng)(ceng)進行第一刻蝕，使預設(she)微圖(tu)案轉移(yi)至光(guang)刻膠層(ceng)(ceng)上(shang)，得到光(guang)刻膠掩模板；其中(zhong)，所述預設(she)微圖(tu)案為圓(yuan)孔(kong)陣列(lie)結(jie)構(gou)，所述圓(yuan)孔(kong)陣列(lie)結(jie)構(gou)中(zhong)相(xiang)鄰圓(yuan)孔(kong)的間距相(xiang)同；

步驟S3、根據所述(shu)光刻膠掩(yan)模板，對(dui)所述(shu)二(er)氧(yang)化硅(gui)層進行第二(er)刻蝕(shi)，在所述(shu)二(er)氧(yang)化硅(gui)層上與(yu)所述(shu)預設(she)微圖案對(dui)應位置形(xing)成第一(yi)圓(yuan)柱(zhu)孔(kong)陣(zhen)列，所述(shu)第一(yi)圓(yuan)柱(zhu)孔(kong)陣(zhen)列中包括多(duo)個(ge)周(zhou)期性陣(zhen)列的第一(yi)圓(yuan)柱(zhu)孔(kong)，得(de)到第一(yi)刻蝕(shi)半導體材(cai)料；

步(bu)驟S4、在所(suo)述(shu)(shu)二氧化硅(gui)層中所(suo)述(shu)(shu)預設微圖(tu)案的對(dui)應(ying)區域，沿所(suo)述(shu)(shu)第一圓(yuan)柱孔的軸向(xiang)對(dui)所(suo)述(shu)(shu)硅(gui)層進(jin)行第三(san)刻蝕(shi)，在所(suo)述(shu)(shu)硅(gui)層中形成與所(suo)述(shu)(shu)第一圓(yuan)柱孔對(dui)應(ying)的第二圓(yuan)柱孔，然后去(qu)除所(suo)述(shu)(shu)光刻膠掩膜(mo)板，得(de)到(dao)第二刻蝕(shi)半導體(ti)材料；

步(bu)驟S5、在所(suo)述(shu)第(di)二(er)(er)(er)刻(ke)蝕(shi)(shi)半導體(ti)材(cai)(cai)料中具有所(suo)述(shu)二(er)(er)(er)氧化(hua)硅(gui)(gui)層(ceng)的(de)一側沉積二(er)(er)(er)氧化(hua)硅(gui)(gui)，形成沉積二(er)(er)(er)氧化(hua)硅(gui)(gui)層(ceng)，然后通過(guo)刻(ke)蝕(shi)(shi)去(qu)除位于所(suo)述(shu)第(di)二(er)(er)(er)圓柱(zhu)孔底部的(de)所(suo)述(shu)沉積二(er)(er)(er)氧化(hua)硅(gui)(gui)層(ceng)，得到第(di)三刻(ke)蝕(shi)(shi)半導體(ti)材(cai)(cai)料；

步驟S6、采用深反應離子刻蝕機(ji)的(de)(de)Bosch工藝，對所述第(di)二圓(yuan)柱孔中的(de)(de)所述硅層進行各向異性刻蝕，得到第(di)四刻蝕半(ban)導體(ti)材料；

步驟S7、繼續對所述第二圓柱孔(kong)中所述硅層進(jin)行(xing)各向同性(xing)刻蝕，在(zai)所述半導體材料上(shang)形成了微米雙內凹結構表(biao)面。

綜上所述，本發明實施(shi)例能夠在(zai)材料表面(mian)(mian)通過微加(jia)工的(de)(de)(de)方式制(zhi)備了特(te)征(zheng)尺寸(cun)在(zai)10微米以下的(de)(de)(de)雙內凹結構(gou)表面(mian)(mian)，所制(zhi)備表面(mian)(mian)具(ju)有較(jiao)大的(de)(de)(de)突(tu)破(po)壓和(he)界(jie)面(mian)(mian)穩固因子，可實現對低表面(mian)(mian)張力液體的(de)(de)(de)穩固超排斥。