結果和討論

不同hp-β-CD濃度(du)下NP溶液的界面張力

圖(tu) 1 不同(tong) hp-β-CD 濃度下的界(jie)面張(zhang)力 (γ) vs. log CNP/mol dm-3

NP 溶(rong)液(ye)(ye)在不(bu)(bu)同 hp-β-CD 濃度(du)(du)下(xia)的(de)(de)(de)界面張力（γ）如圖 1 所示。在任何(he) hp-β-CD 濃度(du)(du)下(xia)，界面張力隨著 NP 的(de)(de)(de)增(zeng)加而(er)降低(di)。 Hp-β-CD 由七個葡萄糖單(dan)元組成，形成一個具有(you)親水(shui)外(wai)表(biao)(biao)面和(he)疏水(shui)內腔(qiang)(qiang)的(de)(de)(de)環，眾所周知，它主要以 1:1 的(de)(de)(de)化學計量(liang)將客體分子(zi)(zi)結合到疏水(shui)腔(qiang)(qiang)中 [11]。 在 hp-β-CD 的(de)(de)(de)水(shui)溶(rong)液(ye)(ye)中，NP 被認為結合了(le) hp-β-CD 的(de)(de)(de)疏水(shui)腔(qiang)(qiang)。 眾所周知，Hp-β-CD 由于其親水(shui)性外(wai)表(biao)(biao)面而(er)不(bu)(bu)吸(xi)附在空氣(qi)-溶(rong)液(ye)(ye)界面。 這表(biao)(biao)明未摻入 hp-β-CD 腔(qiang)(qiang)的(de)(de)(de) NP 分子(zi)(zi)吸(xi)附在空氣(qi) - 溶(rong)液(ye)(ye)界面。 在任何(he) hp-β-CD 濃度(du)(du)下(xia)均未觀(guan)察到表(biao)(biao)明膠(jiao)束(shu)化開始的(de)(de)(de)斷點(dian)（即臨界膠(jiao)束(shu)濃度(du)(du) (cmc)）。 由于 NP 非常疏水(shui)，體相(xiang)中的(de)(de)(de) NP 單(dan)體濃度(du)(du)不(bu)(bu)能增(zeng)加到 cmc。 根據 γ 與(yu) log CS，非離子(zi)(zi) NP 的(de)(de)(de)最大(da)表(biao)(biao)面過(guo)量(liang) (Γmax) 通過(guo) Gibb 吸(xi)附方(fang)程估(gu)計如下(xia) [12]：

其中 CS 和 R 分別(bie)是 NP 濃度(du)和氣體常數。 表面過(guo)量值列于表 1。表面過(guo)量值在(zai)任何 hp-β-CD 濃度(du)下幾(ji)乎(hu)恒定，平均值為 4.6 μmol m-2。 這意味著 hp-β-CD 不(bu)影(ying)響吸附(fu)在(zai)空氣-溶液界(jie)面上的(de)(de)(de) NP 分子的(de)(de)(de)取向。 與 HTAB 的(de)(de)(de)表面過(guo)量值 (3.9 μmol m-2) [6] 相比，NP 在(zai)空氣-溶液界(jie)面處每個分子所占的(de)(de)(de)面積(ji)(ji)似(si)乎(hu)比 HTAB 小。 HTAB 的(de)(de)(de)頭部基團(tuan)與 HTAB 親水部分的(de)(de)(de)三個甲基的(de)(de)(de)體積(ji)(ji)之間的(de)(de)(de)靜(jing)電(dian)排斥力抑(yi)制了擁(yong)擠(ji)的(de)(de)(de)堆積(ji)(ji)。

表1 不同hp-β-CD濃度(du)下NP的表面(mian)過量（Γmax）值(zhi)

圖 2 存在(zai)各種內(nei)分泌干擾(rao)物時的(de)(de)界面張(zhang)力 (γ) 與 log CHTA +/mol dm-3 的(de)(de)關(guan)系(xi)：5 mM hp-β-CD、0.49 M Na2SO4 和 0.01 M H2SO4

HTA+ 溶液與 hp-β-CD 和硫酸根離子的界面張力

為了研究支(zhi)持(chi)(chi)電解(jie)(jie)質(zhi)對空氣-溶(rong)液界(jie)(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)處 HTA+ 吸(xi)附性能的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)影響(xiang)，我(wo)們(men)測量(liang)了含有(you)硫酸根離(li)子(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) HTA+ 溶(rong)液的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)界(jie)(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)張(zhang)力(li)(li)(li)(li)。 含硫酸根離(li)子(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) HTA+ 溶(rong)液的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)界(jie)(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)張(zhang)力(li)(li)(li)(li)如圖 2 所示(shi)。HTA+ 離(li)子(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) cmc 和最大(da)表面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)過量(liang)值列于(yu)(yu)表 2。在(zai)大(da)量(liang)支(zhi)持(chi)(chi)電解(jie)(jie)質(zhi)存(cun)在(zai)下(xia) HTA+ 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)表面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)過量(liang)值為由方程(cheng)估計(ji) (3) 其中(zhong) CS 是(shi)(shi)(shi) HTA+ 濃(nong)度(du)。 這些 cmc 值遠大(da)于(yu)(yu)沒(mei)有(you) hp-β-CD 和硫酸根離(li)子(zi)(zi)(zi) (0.92 mM) [6] 時(shi)(shi) HTAB 水溶(rong)液的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) cmc 值。 這意味著 HTA+ 離(li)子(zi)(zi)(zi)被(bei)并(bing)入(ru) hp-β-CD 腔(qiang)內，并(bing)且無 HTA+ 單(dan)體的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)濃(nong)度(du)降(jiang)低(di)(di)。 我(wo)們(men)已(yi)經觀察到在(zai)兩(liang)種 EDC 存(cun)在(zai)下(xia) HTA+ 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) cmc 值下(xia)降(jiang)。 我(wo)們(men)可(ke)以用(yong)兩(liang)個可(ke)能的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)原因(yin)來(lai)解(jie)(jie)釋 cmc 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)這種下(xia)降(jiang)。 第一(yi)個是(shi)(shi)(shi) EDC 對膠(jiao)(jiao)束(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)穩定化。 這是(shi)(shi)(shi)由于(yu)(yu)羥基和 NP 或(huo) β-E2 中(zhong)芳香環的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) C 電子(zi)(zi)(zi)與 HTA+ 離(li)子(zi)(zi)(zi)中(zhong)帶正電的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)銨(an)部分(fen)(fen)之間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)吸(xi)引力(li)(li)(li)(li)相互作(zuo)(zuo)用(yong)。 它降(jiang)低(di)(di)了膠(jiao)(jiao)束(shu)中(zhong) HTA+ 極(ji)性頭基團之間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)靜電斥力(li)(li)(li)(li) [13]。 此外，NP 或(huo) β-E2 與 HTAB 膠(jiao)(jiao)束(shu)之間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)疏水相互作(zuo)(zuo)用(yong)穩定了膠(jiao)(jiao)束(shu)化 [14]。 第二個是(shi)(shi)(shi)兩(liang)個 EDC 分(fen)(fen)子(zi)(zi)(zi)都占據了 hp-β-CD 腔(qiang)并(bing)增(zeng)(zeng)加(jia)了 HTA+-free 單(dan)體的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)濃(nong)度(du)。 然(ran)而(er)，NP de 比(bi)β-E2 更顯(xian)著地降(jiang)低(di)(di)了cmc 值。 從(cong)分(fen)(fen)子(zi)(zi)(zi)結構來(lai)看(kan)，NP本身(shen)具有(you)長碳鏈，類似于(yu)(yu)HTA+離(li)子(zi)(zi)(zi)。 它使膠(jiao)(jiao)束(shu)形(xing)成(cheng)(cheng)中(zhong) HTA+ 和 NP 之間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)親和力(li)(li)(li)(li)更高，并(bing)且更顯(xian)著地增(zeng)(zeng)加(jia)了不含 HTA+ 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)單(dan)體的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)濃(nong)度(du)。 盡管β-E2存(cun)在(zai)時(shi)(shi)HTAB的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)最大(da)表面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)過剩(sheng)值大(da)于(yu)(yu)NP存(cun)在(zai)時(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)值，但后者EDC的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)界(jie)(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)張(zhang)力(li)(li)(li)(li)遠低(di)(di)于(yu)(yu)前者。 在(zai) NP 溶(rong)液中(zhong)，NP 分(fen)(fen)子(zi)(zi)(zi)也(ye)(ye)被(bei)吸(xi)附在(zai)空氣-溶(rong)液界(jie)(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)，這也(ye)(ye)起到降(jiang)低(di)(di)界(jie)(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)張(zhang)力(li)(li)(li)(li)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)用(yong)。 然(ran)而(er)，在(zai) cmc 以上，隨著 CHTAB 和膠(jiao)(jiao)束(shu)濃(nong)度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)加(jia)，吸(xi)附的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) NP 分(fen)(fen)子(zi)(zi)(zi)從(cong)空氣 - 溶(rong)液界(jie)(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)解(jie)(jie)吸(xi)并(bing)分(fen)(fen)布在(zai)膠(jiao)(jiao)束(shu)中(zhong)，界(jie)(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)處 NP 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)組(zu)成(cheng)(cheng)減少。 因(yin)此，界(jie)(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)張(zhang)力(li)(li)(li)(li)再次(ci)大(da)幅上升。

表 2 在含有 0.49 M Na2SO4 和 0.01 M H2SO4 的 5 mM hp-β-CD 存在下，HTA+ 溶液在不同 NP 或 β-E2 濃度下的 cmc 和表面過量 (Γmax) 值

熒光各向異性

RB 分子在(zai)(zai)膠(jiao)(jiao)束表(biao)(biao)(biao)面(mian)區域溶(rong)解得(de)越硬，r 值越大(da)[15]。 r 值的(de)(de)變(bian)化如圖 3 所(suo)示。在(zai)(zai) 0.1 mM 時，r 值下降(jiang)(jiang)。 這表(biao)(biao)(biao)明 EDCs 開(kai)始溶(rong)解到(dao)膠(jiao)(jiao)束中(zhong)擾(rao)亂了(le) RB 分子在(zai)(zai)膠(jiao)(jiao)束表(biao)(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)緊密堆(dui)積。 隨著(zhu)(zhu)NP濃度(du)(du)的(de)(de)增(zeng)加，r值增(zeng)加。 然而，隨著(zhu)(zhu)β-E2濃度(du)(du)的(de)(de)增(zeng)加，r值一(yi)度(du)(du)恢復(fu)并似(si)乎一(yi)點(dian)點(dian)下降(jiang)(jiang)。 這表(biao)(biao)(biao)明 NP 的(de)(de)增(zeng)溶(rong)使(shi)膠(jiao)(jiao)束表(biao)(biao)(biao)面(mian)更(geng)加剛(gang)性(xing)，而 β-E2 的(de)(de)增(zeng)溶(rong)則沒(mei)有。 NP在(zai)(zai)結構上更(geng)類似(si)于HTA+。 因此，NP在(zai)(zai)膠(jiao)(jiao)束中(zhong)的(de)(de)HTA+離(li)子頭之間增(zeng)溶(rong)，降(jiang)(jiang)低了(le)膠(jiao)(jiao)束表(biao)(biao)(biao)面(mian)離(li)子頭的(de)(de)靜電(dian)斥力，使(shi)膠(jiao)(jiao)束更(geng)加穩定和(he)剛(gang)性(xing)[16]。 另一(yi)方(fang)面(mian)，β-E2 似(si)乎會(hui)干擾(rao) HTA+ 的(de)(de)取向(xiang)并降(jiang)(jiang)低膠(jiao)(jiao)束表(biao)(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)剛(gang)度(du)(du)。

DLS

我們在(zai)每個 EDC 存在(zai)下通過動態(tai)光散(san)射方法(fa)研究了 HTA+ 膠束的(de) RH（圖 4）[17]。 隨著(zhu) EDCs 濃度(du)的(de)增(zeng)加，膠束的(de)流體動力學半徑似乎逐漸增(zeng)加。

圖 3 熒光各向異性 (r) 值 vs. CEDCs/mM：50 mM hp-β-CD、20 mM HTAB、0.49 M Na2SO4 和 0.01 M H2SO4

這(zhe)種趨勢(shi)在兩個 EDC 中是(shi)相似的(de)。 在我們的(de)芘熒光 I1/I3 實驗中，膠束中的(de)極性(xing)不會(hui)因添加(jia)每個 EDC 而(er)改變（數據未顯示(shi)）。 因此，流(liu)體動力學半(ban)徑的(de)這(zhe)種小幅(fu)增(zeng)加(jia)不是(shi)由于膠束中水分(fen)子的(de)侵(qin)入； 相反，這(zhe)是(shi)由于EDC分(fen)子的(de)入侵(qin)。 此外(wai)，EDCs 在膠束表面(mian)的(de)侵(qin)入似乎降低了表面(mian)的(de)電密度，并可能增(zeng)加(jia)聚集數。

圖 4 膠束相對于 CEDCs/mM 的 RH：50 mM hp-β-CD、20 mM HTAB、0.49 M Na2SO4 和 0.01 M H2SO4

在 hp-β-CD 存在下 I2/I? 的循環伏安法

在(zai)這里，我們選擇 I2/I? 作(zuo)為(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)化(hua)學探針(zhen)，因為(wei) I? 的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)荷有望使其與陽(yang)離(li)子膠(jiao)束(shu)的(de)(de)結合(he)變得容易，并(bing)且電(dian)(dian)(dian)(dian)中(zhong)性(xing) I2 有望在(zai)膠(jiao)束(shu)中(zhong)表面(mian)活性(xing)劑的(de)(de)疏水部(bu)分之間(jian)增溶并(bing)溶解(jie)在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)表面(mian)的(de)(de)表面(mian)活性(xing)劑單層中(zhong)。 我們研究了 hp-β-CD 對 I2/I- 氧化(hua)還原峰(feng)的(de)(de)影(ying)響（圖 5）。 在(zai)沒有 hp-β-CD 的(de)(de)情(qing)況下(xia)，觀察到(dao) I- 在(zai)約(yue) 530 mV 處(chu)(chu)的(de)(de)陽(yang)極(ji)(ji)峰(feng)和 I2 在(zai)約(yue) 480 mV 處(chu)(chu)的(de)(de)陰(yin)極(ji)(ji)峰(feng)。 在(zai) 50 mM hp-β-CD 存在(zai)下(xia)，陽(yang)極(ji)(ji)和陰(yin)極(ji)(ji)峰(feng)值電(dian)(dian)(dian)(dian)流均降低，并(bing)且它們的(de)(de)峰(feng)值電(dian)(dian)(dian)(dian)位向(xiang)負(fu)方(fang)向(xiang)移動。 陽(yang)極(ji)(ji)峰(feng)值電(dian)(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)降低是(shi)(shi)由 I? 與 hp-β-CD 的(de)(de)親水表面(mian)結合(he)引(yin)起(qi)的(de)(de)。 另(ling)一方(fang)面(mian)，陰(yin)極(ji)(ji)峰(feng)值電(dian)(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)降低是(shi)(shi)由 hp-β-CD 疏水腔中(zhong)包(bao)含(han) I2 引(yin)起(qi)的(de)(de) [18]。 峰(feng)值電(dian)(dian)(dian)(dian)位的(de)(de)負(fu)移表明結合(he)在(zai) hp-β-CD 腔中(zhong)的(de)(de) I2 比結合(he)到(dao) hp-β-CD 表面(mian)的(de)(de) I- 更穩定。

圖(tu) 5 存在 5 mM hp-β- 時 I2/I? 的循環伏安圖(tu)CD 和不(bu)存在 hp-β-CD：0.5 mM NaI、0.49 M Na2SO4、0.01 M H2SO4

在 HTA+ 離子和 hp-β-CD 存在下 I2/I? 的循環伏安法

我們還(huan)研究了 HTA+ 陽(yang)離子(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)影響（圖(tu) 6）。 來自界面(mian)張力測量(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de) HTA+ 離子(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de) cmc 與(yu)圖(tu) 6 標題(ti)中(zhong)所述(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de) CV 測量(liang)溶(rong)液相同，為 3.95 mM。 I2/I? 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)陽(yang)極(ji)(ji)和(he)陰(yin)極(ji)(ji)峰(feng)(feng)均高于(yu)不存(cun)在(zai)(zai) HTA+ 時的(de)(de)(de)(de)(de)(de)峰(feng)(feng)。 陽(yang)極(ji)(ji)和(he)陰(yin)極(ji)(ji)峰(feng)(feng)值(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)加(jia)是由(you)于(yu)被(bei)捕(bu)獲(huo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de) I? 和(he) I2 從(cong) hp-β-CD 釋放(fang)到(dao)主(zhu)體(ti)中(zhong)，這是由(you) hp-β-CD 腔中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de) I? 和(he) I2 置換(huan)引起(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)與(yu) HTA+。 另一(yi)方面(mian)，隨著 HTA+ 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)濃(nong)(nong)度(du)(du)增(zeng)(zeng)加(jia)到(dao) cmc 以(yi)上，陽(yang)極(ji)(ji)和(he)陰(yin)極(ji)(ji)峰(feng)(feng)值(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)都變(bian)得低(di)于(yu)預膠(jiao)束(shu)濃(nong)(nong)度(du)(du)下的(de)(de)(de)(de)(de)(de)峰(feng)(feng)值(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)。 在(zai)(zai) I2 和(he) I- 鍵合到(dao)膠(jiao)束(shu)經歷(li)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)轉移(yi)之前，膠(jiao)束(shu)必(bi)須轉向(xiang)，使 I2 和(he) I- 面(mian)向(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)表(biao)(biao)面(mian)。 它導致峰(feng)(feng)值(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)降低(di)。 此外，陽(yang)極(ji)(ji)和(he)陰(yin)極(ji)(ji)峰(feng)(feng)值(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位都向(xiang)負(fu)方向(xiang)移(yi)動。 這表(biao)(biao)明溶(rong)解在(zai)(zai) HTA+ 膠(jiao)束(shu)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de) I2 比鍵合到(dao) HTA+ 膠(jiao)束(shu)表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de) I- 更穩定。 隨著 HTA+ 濃(nong)(nong)度(du)(du)增(zeng)(zeng)加(jia)到(dao) 5 mM，在(zai)(zai) 330 mV 處(chu)觀(guan)察(cha)到(dao)一(yi)個尖銳的(de)(de)(de)(de)(de)(de)吸(xi)(xi)附減少峰(feng)(feng)。 已知在(zai)(zai)不存(cun)在(zai)(zai)任何表(biao)(biao)面(mian)活(huo)性劑的(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況下，在(zai)(zai)鉑電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)表(biao)(biao)面(mian)形(xing)成的(de)(de)(de)(de)(de)(de) I2 會吸(xi)(xi)附在(zai)(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)表(biao)(biao)面(mian) [19]。 在(zai)(zai)我們的(de)(de)(de)(de)(de)(de)系統中(zhong)，HTA+ 在(zai)(zai)低(di) HTA+ 濃(nong)(nong)度(du)(du)下抑制了 I2 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)吸(xi)(xi)附。 然而，隨著HTA+濃(nong)(nong)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)加(jia)，形(xing)成了HTA+單(dan)層(ceng)，導致電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)表(biao)(biao)面(mian)HTA+單(dan)層(ceng)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)I2被(bei)吸(xi)(xi)收。 隨著 HTA+ 濃(nong)(nong)度(du)(du)增(zeng)(zeng)加(jia)至 10 mM，吸(xi)(xi)附還(huan)原峰(feng)(feng)消失。 在(zai)(zai)這個濃(nong)(nong)度(du)(du)下，在(zai)(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)表(biao)(biao)面(mian)形(xing)成的(de)(de)(de)(de)(de)(de) I2 溶(rong)解到(dao) HTA+ 膠(jiao)束(shu)中(zhong)。 因此，沒有觀(guan)察(cha)到(dao)吸(xi)(xi)附峰(feng)(feng)。

圖 6 不(bu)同 HTA+ 離(li)子濃度下(xia) I2/I? 的循(xun)環伏安圖：0.5 mM NaI、5 mM hp-β-CD、0.49 M Na2SO4、0.01 M H2SO4

圖 7 在 0.5 mM NP (a) 或 0.5 mM β-E2 (b) 存(cun)在下，不同(tong) HTA+ 離子濃度下 I2/I? 的循環伏安圖：0.5 mM NaI、5 mM hp-β-CD、0.49 M Na2SO4 , 0.01 M H2SO4

在 NP 或 β-E2、HTA+ 和 hp-β-CD 存在下 I2/I? 的循環伏安法

包含 NP 或 β-E2 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)系(xi)統中(zhong)(zhong) I2/I? 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)循環伏安圖(tu)(tu)分別如(ru)圖(tu)(tu) 7a 和 b 所示。 根據界面張力測量結果，各個系(xi)統的(de)(de)(de)(de)(de)(de) HTA+ 的(de)(de)(de)(de)(de)(de) cmc 分別為(wei) 3.06 和 3.50 mM，并列于表 3 中(zhong)(zhong)。即(ji)(ji)使在(zai) HTA+ 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)預膠(jiao)束(shu)濃(nong)(nong)度(du)(du)下(xia)(xia)，峰值電(dian)(dian)(dian)位也(ye)(ye)向(xiang)負(fu)(fu)方向(xiang)移動。 這表明即(ji)(ji)使在(zai)低(di)(di)于 cmc 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)低(di)(di) HTA+ 濃(nong)(nong)度(du)(du)下(xia)(xia)，I- 也(ye)(ye)溶解在(zai)電(dian)(dian)(dian)極表面形(xing)(xing)成(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de) HTA+ 單層中(zhong)(zhong)。 在(zai) HTA+ 單層中(zhong)(zhong)，I2 比 I- 更(geng)穩(wen)定。 在(zai)膠(jiao)束(shu)后(hou) HTA+ 濃(nong)(nong)度(du)(du)下(xia)(xia)，NP 溶液(ye)中(zhong)(zhong)峰電(dian)(dian)(dian)位的(de)(de)(de)(de)(de)(de)負(fu)(fu)移大于 β-E2 溶液(ye)。 這是因(yin)為(wei) NP 更(geng)有效地降(jiang)低(di)(di)了(le) cmc，并且(qie)在(zai)相同濃(nong)(nong)度(du)(du) (0.5 mM) NP 或 β-E2 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)體相中(zhong)(zhong)，NP 中(zhong)(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)膠(jiao)束(shu)量更(geng)大。 在(zai)圖(tu)(tu) 6 中(zhong)(zhong)觀(guan)(guan)察(cha)到的(de)(de)(de)(de)(de)(de)顯著吸(xi)附(fu)減少(shao)峰在(zai)圖(tu)(tu) 7a 中(zhong)(zhong)沒有觀(guan)(guan)察(cha)到。 然而，在(zai)圖(tu)(tu) 7b 中(zhong)(zhong)，在(zai) 4 mM 的(de)(de)(de)(de)(de)(de) HTA+ 濃(nong)(nong)度(du)(du)下(xia)(xia)，在(zai) 340 mV 附(fu)近(jin)觀(guan)(guan)察(cha)到了(le)一(yi)個寬(kuan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)吸(xi)附(fu)峰。 在(zai)NP溶液(ye)中(zhong)(zhong)，大量膠(jiao)束(shu)溶解了(le)電(dian)(dian)(dian)極表面形(xing)(xing)成(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)I2，將它們(men)從那里帶走，降(jiang)低(di)(di)了(le)I2的(de)(de)(de)(de)(de)(de)吸(xi)附(fu)峰電(dian)(dian)(dian)流。

表 3 在(zai)(zai)含有 20 mM 磷(lin)酸鹽緩沖液和 0.5 μM 芘的 50 mM hp-β-CD 存在(zai)(zai)下，HTAB 溶(rong)液在(zai)(zai)不同(tong) NP 或 β-E2 濃度下的 cmc 值(zhi)

內分泌物在膠束中的增溶作用——摘要、介紹

內分泌物在膠束中的增溶作用——材料和方法

內分泌物在膠束中的增溶作用——結果和討論

內分泌物在膠束中的增溶作用——結論、致謝！